本網(wǎng)訊  10月21日，華磊光電博士后科研工作站梁萌博士的出站答辯會(huì)議在北京中科院半導(dǎo)體研究所舉行。中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜研究員、副主任伊?xí)匝嘌芯繂T等5位評(píng)審專家出席了答辯會(huì)，半導(dǎo)體所研究生部主任祝素娜主持答辯，華磊光電公司總工程師季輝、副總工程師苗振林參加了會(huì)議。

梁萌博士在博士后科研工作期間，利用華磊光電公司的MOCVD外延設(shè)備，以石墨烯等二維材料為緩沖層在石英等多種襯底上進(jìn)行氮化物材料外延，開展了石墨烯緩沖層上的成核機(jī)理研究和工藝探索，取得了多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新成果：通過石墨烯緩沖層技術(shù)，在非晶襯底上實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量氮化物納米柱生長(zhǎng)；在非晶襯底上實(shí)現(xiàn)了氮化物薄膜生長(zhǎng)，率先采用MOCVD在非晶襯底上成功實(shí)現(xiàn)了平面量子阱結(jié)構(gòu)，內(nèi)量子效率達(dá)到48%，查新結(jié)果表明，該參數(shù)為國(guó)際最高水平。

梁萌博士的研究工作具有重要的科學(xué)價(jià)值，有望成為氮化物制備的顛覆性技術(shù)，在大尺寸低成本材料制備、柔性發(fā)光顯示等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。經(jīng)答辯委員會(huì)評(píng)審專家無記名投票，一致通過梁萌的博士后出站答辯。